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东芝推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET
2019-12-30 11:18浏览量:返回上一页
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东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率。该系列包括具备低导通电阻的XPH4R10ANB-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的]低导通电阻。

应用:

汽车设备

电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性:

东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装

通过AEC-Q101认证

低导通电阻:

RDS(ON)=4.1m欧(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

RDS(ON)=6.3m欧(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

主要规格:

参数表.jpg


欧子(上海)电子科技有限公司(国内外半导体产品优质供应商)销售热线:021-67222007  QQ:706787618




( 以上内容仅供参考,欧子(上海)电子科技有限公司有最终解释权

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